工作地點：

需求方

氣派科技股份有限公司

需求背景

伴隨著集成電路需求不斷擴大，加之美國限制中興、晉華、華為事件折射出中國集成電路領域水平與之的巨大差距，使得集成電路國產化的呼聲越來越高，而國家近年出臺了一系列的政策和成立國家產業大基金扶持發展。預計“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，舉全國之力，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面， 大力支持發展以碳化硅、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體產業。

隨著5G標準化研究的不斷推動，5G基站除了傳統的通信業務，還將支持大數據、高速率、低延遲的網絡數據服務。隨著5G基站的建立和高頻化、毫米波的快速發展，對超高功率密度以及對可靠性要求越來越嚴，而大功率GaN功放器件通常采用金屬陶瓷封裝，但由于其超大體積和超高成本難以滿足5G商用化的需求。所以研究5G宏基站超大功率超高頻異結構GaN功放塑封封裝技術及產業化，達到優異的性能同時降低制造成本，推進5G基站GaN功率器件的大批量應用，減少貿易摩擦，提高5G國內自主性具有重要戰略意義。

需解決的主要技術難題

1.本項目采用塑封工藝技術路線，突破異結構塑封封裝射頻性能設計創新，將通過塑封實體封裝，替代傳統金屬陶瓷空腔封裝。

2.采取異結構塑封封裝的低熱阻封裝結構設計技術的研究方法，進行的5G宏基站超大功率GaN射頻功放，飽和功率輸出達到200W，器件核心溝道溫度達到200℃以上，常規塑封料Tj溫度只能達到130℃左右。

3. 5G宏基站超大功率GaN射頻功電路其工作狀態下，其顳部溫度可達160~230℃，工作狀態下功耗為80W,損失功耗甚至可達500。在器件發熱功耗需要達到70W以上，但同時要實現低熱阻，保證器件在正常工作條件下，器件核心溝道溫度維持在正常水平。

4.受芯片以及封裝結構影響塑封器件的內部將會表現得較為顯著，為了解決背部應力，將選用低應力高Tg的塑封樹脂；以及在散熱片正面做凹槽，從而減少塑封應力。

5.高精度裝片技術，使芯片的位置精度在±20μm以下，

6.平行弧度且弧長可控的工藝，實現旋轉角度小于1°，Die tile 15um，芯片間距可小于2 00um，鍵合線線長度差 50um，線寬線距精度可達±4um。

項目主要技術指標

1.線寬線距在5μm 到35μm 之間，硅片間距小于200μm；

2.封裝布線的層數達到4 層以上；

3.在-65°C to 150°C 溫度循環條件下，循環次數高于1000 次（試驗條件：-65+0-10～150+10-0℃15min）；

4.異構互聯在85℃、104A/cm2 條件下，抗電遷移能力大于500h；

5.信號處理（處理器和儲存器）的帶寬大于15GBps；

6.射頻模塊（包括PA，射頻開關，低噪聲放大器）以及無源器件等實現異構集成及產業化；

7.成本優勢比傳統封裝提升30% 以上

8.封裝散熱能達到150W/m?k。

揭榜要求

揭榜對象需為公司副總經理、研發總監、技術總監或以上級別，具有本科以上學歷，具有較強的研發創新能力，具有第三代半導體封裝測試產品的研發和產業化經驗，授權專利超過20件，承擔或參與過市級以上技術攻關項目5次以上，在核心期刊上發表過1篇以上論文。能對項目需求提出攻克關鍵核心技術的可行方案，從事封裝測試領域研發、管理工作15年以上，具有良好的科研道德和社會誠信，近三年內無不良信用記錄和重大違法行為。揭榜對象確定揭榜后，雙方共同制定本項目可行性方案，并按有關規定簽訂技術合同。

揭榜時間

截止2022年2月16日

聯系方式

聯系人：蔡小姐

聯系電話：0755-89386110