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      5G宏基站超大功率超高頻異結構GaN功放塑封封裝技術研發和產業化技術需求

      發布日期:2022年02月14日

      工作地點:


      需求方

      氣派科技股份有限公司


      需求背景


      伴隨著集成電路需求不斷擴大,加之美國限制中興、晉華、華為事件折射出中國集成電路領域水平與之的巨大差距,使得集成電路國產化的呼聲越來越高,而國家近年出臺了一系列的政策和成立國家產業大基金扶持發展。預計“十四五”規劃,計劃在2021-2025年期間,舉全國之力,在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面, 大力支持發展以碳化硅、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體產業。

      隨著5G標準化研究的不斷推動,5G基站除了傳統的通信業務,還將支持大數據、高速率、低延遲的網絡數據服務。隨著5G基站的建立和高頻化、毫米波的快速發展,對超高功率密度以及對可靠性要求越來越嚴,而大功率GaN功放器件通常采用金屬陶瓷封裝,但由于其超大體積和超高成本難以滿足5G商用化的需求。所以研究5G宏基站超大功率超高頻異結構GaN功放塑封封裝技術及產業化,達到優異的性能同時降低制造成本,推進5G基站GaN功率器件的大批量應用,減少貿易摩擦,提高5G國內自主性具有重要戰略意義。



      需解決的主要技術難題



      1.本項目采用塑封工藝技術路線,突破異結構塑封封裝射頻性能設計創新,將通過塑封實體封裝,替代傳統金屬陶瓷空腔封裝。

      2.采取異結構塑封封裝的低熱阻封裝結構設計技術的研究方法,進行的5G宏基站超大功率GaN射頻功放,飽和功率輸出達到200W,器件核心溝道溫度達到200℃以上,常規塑封料Tj溫度只能達到130℃左右。

      3. 5G宏基站超大功率GaN射頻功電路其工作狀態下,其顳部溫度可達160~230℃,工作狀態下功耗為80W,損失功耗甚至可達500。在器件發熱功耗需要達到70W以上,但同時要實現低熱阻,保證器件在正常工作條件下,器件核心溝道溫度維持在正常水平。

      4.受芯片以及封裝結構影響塑封器件的內部將會表現得較為顯著,為了解決背部應力,將選用低應力高Tg的塑封樹脂;以及在散熱片正面做凹槽,從而減少塑封應力。

      5.高精度裝片技術,使芯片的位置精度在±20μm以下,

      6.平行弧度且弧長可控的工藝,實現旋轉角度小于1°,Die tile 15um,芯片間距可小于2 00um,鍵合線線長度差 50um,線寬線距精度可達±4um。


      項目主要技術指標


      1.線寬線距在5μm 到35μm 之間,硅片間距小于200μm;

      2.封裝布線的層數達到4 層以上;

      3.在-65°C to 150°C 溫度循環條件下,循環次數高于1000 次(試驗條件:-65+0-10~150+10-0℃15min);

      4.異構互聯在85℃、104A/cm2 條件下,抗電遷移能力大于500h;

      5.信號處理(處理器和儲存器)的帶寬大于15GBps;

      6.射頻模塊(包括PA,射頻開關,低噪聲放大器)以及無源器件等實現異構集成及產業化;

      7.成本優勢比傳統封裝提升30% 以上

      8.封裝散熱能達到150W/m?k。



      揭榜要求


      揭榜對象需為公司副總經理、研發總監、技術總監或以上級別,具有本科以上學歷,具有較強的研發創新能力,具有第三代半導體封裝測試產品的研發和產業化經驗,授權專利超過20件,承擔或參與過市級以上技術攻關項目5次以上,在核心期刊上發表過1篇以上論文。能對項目需求提出攻克關鍵核心技術的可行方案,從事封裝測試領域研發、管理工作15年以上,具有良好的科研道德和社會誠信,近三年內無不良信用記錄和重大違法行為。揭榜對象確定揭榜后,雙方共同制定本項目可行性方案,并按有關規定簽訂技術合同。


      揭榜時間


      截止2022年2月16日



      聯系方式


      聯系人:蔡小姐

      聯系電話:0755-89386110

      郵箱:cailp@chippacking.com
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